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平成25年(行ケ)第10300号
炭化珪素半導体装置の製造方法事件


弁理士  玉腰 紀子
弁理士  須山 佐一

○判決のポイント

請求項1には,「二酸化珪素を除去する工程」における除去の対象につき,二酸化珪素層の全部であるのか,又は,全部及び一部の両方を含むのかにつき,これを明示する記載はなく,同請求項の記載から一義的に明確に理解できるとまではいえず,本件においては,本件明細書の記載を参酌することが許されるべきである。

 事件番号等:平成25年(行ケ)第10300号(知財高裁 H26.11.04 判決言渡)
 事件の種類(判決):特許維持審決取消請求(請求棄却)
 原告/被告:X/独立行政法人産業技術総合研究所
 キーワード:リパーゼ判決,炭化珪素半導体装置,犠牲酸化,二酸化珪素膜の除去
 関連条文:特許法29条2項

○事案の概要

 被告は,発明の名称を「炭化珪素半導体装置の製造方法」とする特許第5046083号(本件特許)の特許権者である。
 本件特許の請求項1(本件発明1)は,発明特定事項として,ショットキー電極の終端領域の下の第1導電型の低濃度の炭化珪素膜に,イオン注入により第2導電型の領域を形成し高温活性化処理する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法において,「上記第1導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成に先立って,上記高温活性化処理する工程後に,上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された二酸化珪素層を除去する工程」を含んでいる。
 審決は,本件発明1と甲1等に記載の発明との相違点の判断にあたり,本件発明1の当該「除去する工程」は,当該対象物を「除去」する工程,すなわち,取り除く工程であるから,「犠牲酸化により形成された」「二酸化珪素層」をすべて取り除くものであると認定し,本件発明1は甲1等及び周知技術から当業者が容易に発明できたものではない,として,無効審判の請求を棄却した。
 原告は,審決の取消しを求めて本訴を提起し,二酸化珪素層を除去する工程」は,その文言からみて,「犠牲酸化により形成された二酸化珪素層」を部分的に除去する工程と全て除去する工程の両方を含む,すなわち,「除去」は「部分的に」除去する概念と「全て」除去する概念の上位概念として記載されていることが明らかであり,原審の要旨認定は,リパーゼ判決(最高裁昭和62年(行ツ)第3号平成3年3月8日第二小法廷判決)に反し,取り消されるべきであると主張した。

○知財高裁の判断

 原告は,審決が本件発明1の要旨を「本件発明1の当該「除去する工程」は,当該対象物を「除去」する工程,すなわち取り除く工程であるから,「犠牲酸化により形成された」「二酸化珪素層」をすべて取り除くものと認められる。」(審決書34頁11行目~13行目)と認定したことについて,特許請求の範囲を超えて「すべて」という文言を付加したものであって,リパ-ゼ判決に反し,本件発明1の要旨の認定を誤ったものであると主張する(前記第3の1)。
 この点,「除去」の辞書的意味は,広辞苑(乙1)によれば,「とりのぞく」ことである。もっとも,本件特許の特許請求の範囲の請求項1には,「犠牲酸化により形成された40nm以上(ただし,50nm未満を除く)の二酸化珪素を除去する工程」における除去の対象につき,二酸化珪素層の全部であるのか,又は,全部及び一部の両方を含むのかにつき,これを明示する記載はなく,同請求項の記載から一義的に明確に理解できるとまではいえない。
 したがって,本件においては,本件明細書の記載を参酌することが許されるものというべきである。なお,このような参酌はリパーゼ判決に反するものではない。
(明細書の記載を引用した部分省略)
 上記の本件発明の課題及びその解決手段によれば,本件発明は,量的に十分な二酸化珪素層を形成しこれを除去することによって,炭化珪素表面の汚染又は損傷等により劣化した層を除去しようとするものであるから,量的に十分に確保された二酸化珪素層を全部除去することによって,漏洩電流の問題を解決しようとするものであると理解するのが自然である。しかも,前記エのとおり,本件明細書には,二酸化珪素層を全部取り除く例の記載はあるものの,二酸化珪素層の一部を取り除くことについての明示の記載はない。
 さらに,本件明細書には,熱酸化により炭化珪素表面上に形成された二酸化珪素層をフッ化水素酸によって処理することができる旨記載され(【0006】),【課題を解決するための手段】にも,酸化により形成された二酸化珪素層をフッ化水素酸等により除去することが記載されているほか(【0010】),【発明を実施するための最良の形態】においても,5%フッ化水素酸に10分間さらすことにより炭化珪素基板上に形成された二酸化珪素層を除去する方法が記載されている(【0015】)。他方,……炭化珪素基板の上に形成される二酸化珪素層が,ショットキー電極の形成部分についてのみ全部除去され,他の部分については一部除去されるという製造方法を採るためには,本件明細書に記載された上記方法とは別の工程(例えば,甲1におけるエッチング)が必要になるものと解されるが,本件明細書にはそのような工程を予定していることを読み取れるような記載はない。
以上によれば,本件明細書の記載を参酌すると,本件発明1の「二酸化珪素層を除去する工程」とは,犠牲酸化により形成された二酸化珪素層の全部を除去する工程を意味するものであると解するのが相当である。

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